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有鑒于此，該團(tuán)隊(duì)將此策略應(yīng)用到新光電子器件的制備上，組裝出了全范德瓦爾斯石墨烯/AgBiP2Se6/石墨烯垂直異質(zhì)結(jié)光電子探測器，并通過應(yīng)用高偏置電壓引入缺陷態(tài)（trap state）的方式，國際上率先實(shí)現(xiàn)了高負(fù)光電導(dǎo)響應(yīng)的光電子探測器件，器件負(fù)光電響應(yīng)度達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的4.9 × 105 A/W。同時(shí)，該器件還表現(xiàn)出了優(yōu)異的綜合光電性能，包括：1.3 × 108 %的高外量子效率（EQE）和 3.60 × 1012 Jones的高光電探測率。該工作中提出的縮短載流子傳輸通道長度與高偏壓誘導(dǎo)缺陷態(tài)策略，將為設(shè)計(jì)實(shí)用性高負(fù)光電導(dǎo)探測器件指明道路，有望應(yīng)用于多功能光電集成芯片設(shè)計(jì)中。
相關(guān)成果以“Giant Negative Photoresponse in van der Waals Graphene/AgBiP2Se6 /Graphene Trilayer Heterostructures”為題發(fā)表在國際材料頂級期刊Advanced Materials上（Advanced Materials, 2024, DOI:10.1002/adma.202312541），第一作者：何偉（20級碩士研究生）和伍棟（21級碩士研究生），通訊作者：于鵬副教授。中山大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院為論文第一完成單位。楊國偉教授對本工作的完成給予了重要的指導(dǎo)。該研究工作受到國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃，國家自然科學(xué)基金、廣東省自然科學(xué)基金以及光電材料與技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室重點(diǎn)培育基金的大力支持。
論文鏈接：
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202312541
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