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Nat. Mater.：清華于浦團隊在納米尺度電場調(diào)控材料絕緣體—金屬相變研究中取得進展
來源：清華大學 2022-10-10
導讀：近日，清華大學物理系于浦教授課題組利用掃描探針顯微鏡技術，賦予了氫離子調(diào)控以納米尺度的空間精度。該成果近日以“借助掃描探針實現(xiàn)氫化，調(diào)控金屬-絕緣體相變”（Manipulating the Insulator-Metal Transition through Tip-Induced Hydrogenation）為題發(fā)表在《自然·材料》（Nature Materials）上。
強關聯(lián)氧化物材料具有眾多有趣的物理性質(zhì)，其中絕緣體—金屬相變由于存在跨越數(shù)個量級的電導率變化而備受關注。利用電場調(diào)控該相變對于實現(xiàn)阻變器件、類腦存儲以及智能玻璃等功能應用具有重要價值。近年來，氫離子因其電場驅(qū)動下遷移快、調(diào)控能力強等特點，被廣泛應用于電場誘導的材料物性調(diào)控當中。通過電場驅(qū)動下材料中氫離子的嵌入和析出，獲得了磁性調(diào)控、超導增強和絕緣體—金屬相變等系列有趣物性。然而，傳統(tǒng)離子調(diào)控策略面臨著難以在納米尺度實現(xiàn)有效操控和調(diào)控時間長等困境，制約了相應的功能應用探索。近日，清華大學物理系于浦教授課題組利用掃描探針顯微鏡技術，賦予了氫離子調(diào)控以納米尺度的空間精度。他們利用具有氫催化活性的鉑鍍層納米探針將氣體氛圍中的氫分子分解為氫離子，并通過在探針上施加正向電壓將帶正電的氫離子注入到樣品中，最終在VO2薄膜中展現(xiàn)了納米尺度的可控氫化。由于氫離子的嵌入伴隨著顯著的電子摻雜效應，氫化調(diào)控使得VO2材料展現(xiàn)出可控的絕緣體—金屬相變特性。進一步地，他們發(fā)現(xiàn)在探針上施加反向電壓，可有效地使氫化區(qū)域中的氫離子脫出，使樣品重新恢復絕緣態(tài)，進而完整地實現(xiàn)了電場作用下的可逆氫化和絕緣體—金屬相變。相比于該課題組前期所實現(xiàn)的離子液體門電壓調(diào)控策略，探針偏壓有效地降低了質(zhì)子與氧化物間的表面嵌入勢壘，將相變速度從宏觀器件的分鐘量級提高到了毫秒量級。此外，不同于通過氧空位調(diào)控和靜電場調(diào)控，電場作用下氫離子的可逆調(diào)控有望將離子調(diào)控擴展到眾多的氧化物、二維材料、超導材料等體系，為離子型器件應用的開發(fā)提供了更大空間。
圖1.探針誘導的納米尺度氫離子調(diào)控示意圖該成果近日以“借助掃描探針實現(xiàn)氫化，調(diào)控金屬-絕緣體相變”（Manipulating the Insulator-Metal Transition through Tip-Induced Hydrogenation）為題發(fā)表在《自然·材料》（Nature Materials）上。文章通訊作者為物理系教授于浦，第一作者為物理系博士后李玲龍（入選“博士后創(chuàng)新人才支持計劃”，現(xiàn)入職東南大學物理學院）。清華大學材料學院南策文院士、西北太平洋國家實驗室研究員朱梓華（Zihua Zhu）和杜英歌（Yingge Du）等為研究提供了重要幫助。該工作受到了基礎科學中心項目、國家杰出青年基金、科技部、北京市自然科學基金和博士后創(chuàng)新人才支持計劃等的資助，同時得到了北京市未來芯片技術高精尖創(chuàng)新中心、清華大學低維量子物理國家重點實驗室和清華大學柔性電子技術實驗室的支持。參考資料：https://www.tsinghua.edu.cn/info/1175/98693.htm
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