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　硅基晶體管的集成正在接近工藝物理的極限，而具有超高載流子遷移率的石墨烯有望成為下一代主流芯片材料。石墨烯納米帶中存在由量子效應(yīng)引入的帶隙，使之具有獨特的電學(xué)性能，可以克服石墨烯本身半金屬特質(zhì)帶來的不便，更適用于集成電路的制造。 

　　在國家自然科學(xué)基金委、科技部和中國科學(xué)院的支持下，中科院化學(xué)所有機固體實驗室于貴研究員課題組在石墨烯二維材料的制備策略、性能及其應(yīng)用方面進行了系列性研究。最近，他們對具有扭轉(zhuǎn)角的雙層石墨烯的制備策略及其獨特性能進行了系統(tǒng)總結(jié) （Adv. Mater. 2021, 33, 2004974.）。他們進一步綜述了扭角多層石墨烯及其異質(zhì)結(jié)的制備方法，并回顧了多種類型的異質(zhì)結(jié)的自上而下的制備策略（Adv. Sci. 2021, DOI:10.1002/advs.202103170. ACS Nano 2021, 15, 11040.）。 另外，他們總結(jié)了不同類型的襯底用以制備高質(zhì)量石墨烯及其在電子學(xué)方面的應(yīng)用（Chem. Mater. 2021, 33, 8960.）。由于本征石墨烯的零帶隙限制了其在光電器件中的應(yīng)用，因此他們分析總結(jié)了石墨烯納米帶自下而上的生長策略，通過調(diào)控石墨烯納米帶的寬度、邊緣結(jié)構(gòu)等可以實現(xiàn)帶隙調(diào)節(jié)（Adv. Mater. 2020, 32, 1905957.）。 

　　快速、大面積、低成本制備高質(zhì)量石墨烯納米帶的方法仍有待發(fā)展。最近，該課題組和清華大學(xué)徐志平團隊合作通過調(diào)控化學(xué)氣相沉積過程中的生長參數(shù)，直接在液態(tài)金屬表面原位生長出大面積、高質(zhì)量的石墨烯納米帶陣列（圖1）。研究表明，將氫氣的流速控制在一個相對微量的狀態(tài)，同時以液態(tài)金屬作為催化基底，可以引入一種新型的梳狀刻蝕行為，從而調(diào)控石墨烯的生長。實驗發(fā)現(xiàn)，利用梳狀刻蝕控制石墨烯的生長，可以將傳統(tǒng)的薄膜生長轉(zhuǎn)化為準(zhǔn)一維的線性生長，從而直接制備高質(zhì)量、大面積的石墨烯納米帶陣列。通過優(yōu)化生長條件，可以將石墨烯納米帶的寬度縮小至8 納米，且長度大于3 微米。該工作為大面積、快速制備石墨烯納米帶的研究奠定了基礎(chǔ)。相關(guān)研究成果發(fā)表在最近的Natl. Sci. Rev. 上（Natl. Sci. Rev. 2021, 8, nwaa298.），論文第一作者為博士生蔡樂，通訊作者為于貴研究員和徐志平教授。 

圖   CVD方法原位生長的的石墨烯納米帶 

參考資料：http://www.iccas.ac.cn/xwzx/kyjz/202201/t20220104_6333684.html